تولید تراشه های نیمه هادی پیشرفته متکی به یک سری فرآیندهای حرارتی فوق العاده-درجه-درجه حرارت بالا و فوق-تمیز است، و اجزای گرافیت{3}}با خلوص بالا، حامل های منطقه داغ هسته تمام تجهیزات پردازش حرارتی هستند. متفاوت از گرافیت صنعتی سنتی، گرافیت نیمه‌رسانا-در درجه خلوص فوق‌العاده-، ریزش ذرات فوق‌العاده-، پایداری ابعادی فوق‌العاده-و سطح فوق‌العاده-به عنوان شاخص‌های ارزیابی اصلی است. با پیشرفت مستمر گره های فرآیند نیمه هادی جهانی از 14 نانومتر به 7 نانومتر، 5 نانومتر و 2 نانومتر، خلوص و دقت مورد نیاز اجزای گرافیت به سطح بی سابقه ای افزایش یافته است و به یک ماده اساسی اصلی تبدیل شده است که بازده تراشه های پیشرفته را محدود می کند.
اجزای گرافیت نیمه هادی کل زنجیره صنعتی تولید ویفر را پوشش می دهند، از جمله قطعات میدان حرارتی کوره رشد سیلیکون تک کریستالی، اجزای گرافیت رشد نیمه هادی باندگپ گسترده SiC-، حامل های گرافیت کوره بازپخت ویفر، تجهیزات گرمایشی گرافیت کوره انتشار epitites estraaxiusal. هر سناریوی فرآیند دارای استانداردهای فنی انحصاری است: برای جلوگیری از آلودگی ویفر، گرافیت رشد کریستال سیلیکون به ناخالصی‌های فلزی بسیار کم-نیاز دارد. گرافیت رشد SiC نیاز به مقاومت در برابر دمای فوق‌العاده-بالاتر از 2200 درجه با ساختار پایدار دارد. اجزای گرافیت بازپخت و انتشار نیاز به سطح فوق- صاف و ریزش ذرات صفر دارند تا از تمیزی سطح ویفر اطمینان حاصل شود.
کنترل با خلوص فوق العاده-بزرگترین مانع فنی گرافیت نیمه هادی است. گره های فرآیند پیشرفته به محتوای خاکستر گرافیت کمتر از 1ppm نیاز دارند و ناخالصی های فلزات واسطه مانند آهن، مس، نیکل و کروم باید در سطح ppb کنترل شوند. این ناخالصی‌ها در دمای بالا به داخل ویفر پخش می‌شوند و کانال‌های نشتی و نقاط عیب را تشکیل می‌دهند که منجر به تخریب عملکرد تراشه و فروپاشی عملکرد می‌شود. بنابراین، گرافیت نیمه رسانا باید چندین تصفیه هالوژن با دمای بالا- و عملیات گاز زدایی در خلاء انجام شود تا مواد فرار داخلی و ناخالصی‌های فلزی کاملاً حذف شوند، که این فرآیند تصفیه‌ای است که گرافیت صنعتی معمولی ندارد.
ماشینکاری دقیق و عملیات سطحی یکی دیگر از مزایای اصلی گرافیت نیمه هادی است. اجزای گرافیت سطح ویفر-به تحمل ابعادی در سطح میکرون-و زبری سطح نانومتری-نیاز دارند. قطعات ساختاری با دیواره نازک و شیاردار که برای یاتاقان ویفر و هدایت جریان گاز استفاده می‌شوند، نیاز به سوراخ‌های صفر و ترک‌های ریز صفر دارند. در عین حال، بیشتر اجزای گرافیت نیمه هادی باید با SiC یا کربن پیرولیتیک پوشانده شوند. صافی، فشردگی و یکنواختی سطح زیرلایه های گرافیتی به طور مستقیم چسبندگی و عمر مفید پوشش را تعیین می کند و بسترهای نامرغوب منجر به لایه برداری پوشش و شکست فرآیند می شود.
پایداری حرارتی و یکنواختی نیز شاخص های کلیدی گرافیت نیمه هادی هستند. ضریب انبساط حرارتی پایین گرافیت ایزواستاتیک-کیفیت بالا تضمین می‌کند که اجزاء در طول چرخه‌های حرارتی با دمای بالا{2}تکرار تغییر شکل یا جابه‌جایی نخواهند داشت و ثبات میدان دمایی پردازش ویفر و میدان گاز را حفظ می‌کند. برای تجهیزات ویفر با قطر بزرگ 300 و 450 میلی‌متر-، اجزای گرافیت یکپارچه یکپارچه جایگزین قطعات متصل شده می‌شوند، خطاهای فرآیندی ناشی از شکاف‌های مونتاژ را حذف می‌کنند و محیط پردازش فوق‌العاده-یکنواخت را برای ویفرهای- اندازه بزرگ تضمین می‌کنند.
کارخانه قالب ساینده و گرافیت Huixian Jinchengمدت‌هاست که متعهد به پردازش دقیق و ساخت سفارشی اجزای گرافیتی با درجه خلوص-نیمه‌هادی-گرافیت با درجه خلوص بالا- است که از ارتقاء زنجیره تأمین تجهیزات نیمه‌رسانای داخلی و جهانی پشتیبانی می‌کند. این شرکت که در سال 1984 تأسیس شد، بر-فناوری پردازش کامل زیرلایه‌های گرافیت نیمه هادی، از جمله-غربالگری خالی با خلوص بالا، ماشینکاری CNC دقیق، پرداخت سطح فوق{{6} تمیز، گاززدایی با خلاء و پیش{7}روکش تسلط دارد. این کارخانه از مواد اولیه گرافیت ایزواستاتیک{10}ایزواستاتیک با خلوص فوق‌العاده{10}وارداتی استفاده می‌کند و فرآیندهای خالص‌سازی نیمه‌رسانا و حذف ناخالصی‌ها را به‌طور دقیق اجرا می‌کند تا اطمینان حاصل شود که تمام اجزای نهایی با استانداردهای خلوص گره‌های فرآیند تراشه پیشرفته مطابقت دارند.
Jincheng Graphite که به تجهیزات ماشینکاری و صیقل فوق‌العاده{0}دقیق مجهز است، می‌تواند قطعات پیچیده گیرنده گرافیت، اجزای محافظ حرارتی، عناصر گرمایشی و وسایل حامل ویفر را برای انتشار نیمه‌رسانا، بازپخت، اپیتاکسی و تجهیزات رشد کریستال پردازش کند. این شرکت به شدت تحمل ماشینکاری و زبری سطح را کنترل می‌کند، فرزهای پردازش و عیوب{2}}ریز را حذف می‌کند، و زیرلایه‌های تطبیقی با کیفیت بالا برای پوشش‌های SiC و PyC بعدی ارائه می‌کند. همه محصولات تحت تشخیص دقیق ابعاد CMM، غربالگری عیوب سطحی و تجزیه و تحلیل محتوای ناخالصی قرار می‌گیرند تا از تحویل{5} عیب صفر اطمینان حاصل شود.
متفاوت از گرافیت صنعتی استاندارد، Jincheng Graphite راه حل های تطبیق فرآیند شخصی را با توجه به مدل های مختلف تجهیزات نیمه هادی و گره های فرآیند ارائه می دهد. تیم فنی با سازندگان تجهیزات نیمه هادی برای بهینه سازی ساختار اجزا و فرآیند تصفیه سطح، بهبود یکنواختی حرارتی و عملکرد ضد آلودگی{1} اجزای گرافیت همکاری می کند. با محلی سازی سریع تجهیزات نیمه هادی جهانی، ظرفیت پردازش گرافیت با کیفیت بالا{3}}به یک حلقه مهم در زنجیره تامین تبدیل شده است. Jincheng Graphite بر کیفیت پایدار و قابلیت‌های سفارشی‌سازی حرفه‌ای تکیه می‌کند تا از اجزای اصلی قابل اعتماد برای تولید نیمه‌رساناهای پیشرفته پشتیبانی کند.
